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什么是碳化硅变流器的优点?

  碳化硅(SiC)是第三代半导体材料代表之一,是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料,与硅材料的物理性能对比,主要特性包括:

  (1)临界击穿电场强度是硅材料近10倍;

  (2)热导率高,超过硅材料的3倍;

  (3)饱和电子漂移速度高,是硅材料的2倍;

  (4)抗辐照和化学稳定性好;

  (5)与硅材料一样,可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

  SiC(碳化硅)与Si器件相比存在三方面优势:更高的击穿电压强度;更低的损耗;更高的热导率。这些特性意味着SiC器件可以用在高电压、高开关频率、高功率密度的场合。

  随着SiC模块功率制造水平的提高,SiC将会是越来越适合电动汽车驱动器的半导体器件,采用SiC器件是实现电动汽车驱动器高功率密度的有效手段。

  目前,将SiC功率模块应用于电机驱动逆变器的研究越来越多,丰田汽车公司已经在混合动力车上应用了SiC功率模块。

  

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