碳化硅好,碳化硅(SiC)是第三代半导体材料代表之一,是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料
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碳化硅好,碳化硅(SiC)是第三代半导体材料代表之一,是C元素和Si元素形成的化合物。跟传统半导体材料硅相比,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势,是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料,也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料
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